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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-323-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 150 mA
Rds On-漏源导通电阻: 4.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 1.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 mW
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: BSS84
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 20.5 ns
正向跨导 - 最小值: 80 mS
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 16.2 ns
18000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 8.6 ns
典型接通延迟时间: 6.7 ns
宽度: 1.25 mm
零件号别名: BSS84PWH6327XT SP000917564 BSS84PWH6327XTSA1
单位重量: 6 mg
