产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-264-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1 kV
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
栅极/发射极最大电压: - 25 V, + 25 V
在25 C的连续集电极电流: 60 A
Pd-功率耗散: 180 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: FGL60N100BNTD
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 60 A
集电极最大连续电流 Ic: 60 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 500 nA
高度: 26 mm
长度: 20 mm
产品类型: IGBT Transistors
375
子类别: IGBTs
宽度: 5 mm
零件号别名: FGL60N100BNTD_NL
单位重量: 6.756 g
